近日，太阳集团tyc539量子与分子结构国际中心（ICQMS）“ 2D Systems ”课题组在国际知名期刊《The Journal of Physical Chemistry Letters》（近3年平均影响IF=7.583）上发表了题为 "Correlations in the Electronic Structure of van der Waals NiPS3 Crystals: An Xray Absorption and Resonant Photoelectron Spectroscopy Study"的论文，论文的第一作者为物理系博士研究生颜谋回，通讯作者为物理系Elena Voloshina 教授和 Yuriy Dedkov教授，太阳集团tyc539物理系为论文第一单位。
该项工作中，利用化学气相传输法制备了高质量的NiPS3单晶，其表面和横截面TEM图像作为建模的依据，结合了密度泛函理论（DFT）方法，使用近边X射线吸收光谱法（NEXAFS）和共振光电子能谱法（ResPES）研究了高质量范德华NiPS3晶体的电子结构。这些光电子能谱方法可以特定于元素，进行原子的价带和导带的态密度分析，并直接与DFT计算的结果进行比较。作者通过对Ni的L2,3吸收边的NEXAFS和ResPES数据的分析，根据Zaanen-Sawatzky-Allen模型，发现可以将NiPS3识别为电荷转移绝缘体，因为该材料的价带中具有很强的关联性，并利用DFT模拟的方法进一步证实该结论。在该项工作中，得到的光谱和理论数据对于此类过渡金属层状材料中可能的相关电子现象的分析非常重要，因为其电子的不同自由度之间的相互作用决定了它们的电子性质，从而使人们了解了它们的光学性质和输运性质，并提出了在电子学，自旋电子学和催化中的进一步可能的应用。
论文链接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.jpclett.1c00394
